SSM3K35CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | SSM3K35CT,L3F |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 180MA CST3 |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.32 |
10+ | $0.26 |
100+ | $0.1377 |
500+ | $0.0906 |
1000+ | $0.0616 |
2000+ | $0.0556 |
5000+ | $0.0483 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | CST3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 50mA, 4V |
Verlustleistung (max) | 100mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5 pF @ 3 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180mA (Ta) |
Grundproduktnummer | SSM3K35 |
SSM3K35CT,L3F Einzelheiten PDF [English] | SSM3K35CT,L3F PDF - EN.pdf |
TOSHIBA CST3
Toshiba SOT-883
TOSHIBA 2019+RoHS
SSM3K35CT.TPL3 TOSHIBA
TOSHIBA CST3C
SSM3K357R TOSHIBA
TOSHIBA CST3C
VBSEMI SSM
MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
TOSHIBA CST3C
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
SSM3K35FS TOSHIBA
SSM3K35CT TOSHIBA
TOSHIBA CST3
TOSHIBA SOT423
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TOS QFN
TOSHIBA SOT-723
MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
2024/01/23
2025/02/11
2024/04/5
2024/09/20
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|